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2013-05-23 12:21
求翻译：The electrons in the cells of a Flash-memory chip can be returned to normal by the application of an electric field,a higher-voltage charge.Flash memory uses in-circuit wiring to apply the electric field either to the entire chip or to predetermined sections known as blocks.This erases the targeted area of the chip,whi是什么意思？ 待解决
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The electrons in the cells of a Flash-memory chip can be returned to normal by the application of an electric field,a higher-voltage charge.Flash memory uses in-circuit wiring to apply the electric field either to the entire chip or to predetermined sections known as blocks.This erases the targeted area of the chip,whi
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
细胞中的闪存芯片的电子可以返回正常的电场中的应用，更高的电压charge.flash内存使用在电路接线适用于整个芯片或到预定电场已知部分的目标区域，其中然后可以rewritten.flash的内存芯片blocks.this擦除速度远远超过传统的EEPROM因为，而不是一次一个字节擦除，擦除一个块或整个芯片，然后重写它。
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2013-05-23 12:23:18
电子在一个单元格的闪存芯片的可恢复正常的应用程序的一个电场,较高的电压充电。闪存使用电路的布线应用电场到整个芯片或预定部分称为块。这将删除的目标区域的芯片,然后可以将其重写”闪存eeprom内存工作速度比传统的不是因为每次一个字节擦除,擦除一个块,或整个芯片上,然后重写它。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
由电场，较高的电压充电的应用程序中的单元格的闪存芯片电子可以返回正常。快闪内存使用的电路布线应用到整个芯片或者预先确定的部分叫做块的电场。这将删除目标的区的该芯片，然后可以重写。闪存，远远快于传统的 EEPROMs 因为工作的一次擦除一个字节，而不是它将擦除
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2013-05-23 12:28:18
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