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2013-05-23 12:21
求翻译：The piezoelectric disc modeled in the present analysis is shown in Figure 18. As illustrated, the PZT has a radius r of 2.55e-3m and bimorph layer thickness h of 0.32e-3m. In the model, the piezoelectric bimorph disc is clamped on its top and bottom periphery surfaces, thereby constraining the displacement in the Ux an是什么意思？ 待解决
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The piezoelectric disc modeled in the present analysis is shown in Figure 18. As illustrated, the PZT has a radius r of 2.55e-3m and bimorph layer thickness h of 0.32e-3m. In the model, the piezoelectric bimorph disc is clamped on its top and bottom periphery surfaces, thereby constraining the displacement in the Ux an
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
压电盘，在目前的分析建模，如图18所示。所示的压电陶瓷有一个半径为r 2.55e-3M和双晶片层厚度h 0.32e-3M。模型中，压电双晶片光盘被钳制在其顶部和底部边缘的表面，从而制约了UX和UY方向位移。左边缘被限制在UX方向施加轴对称的边界条件。 60V直流电压，适用于顶面环形电导致光盘上的其余部分。底面接地导电流体接触的美德。
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2013-05-23 12:23:18
光盘的压电式中建模,本分析是图18所示)。 如上所示,有一个半径为r的pzt2.55e-3m和bimorph层厚度0.32e-3mh的。 在这种模式中,压电bimorph光盘夹紧在其顶部和底部边缘表面,从而制约的ux和uy的流离失所问题方向。 左边缘的ux方向的限制,实行axisymmetric边界条件。
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2013-05-23 12:24:58
在当前分析塑造的压电圆盘在表18显示。 如被说明， PZT有一条半径r 2.55e-3m和bimorph层数厚度h 0.32e-3m。 在模型，压电bimorph圆盘在它的上面和底部周围表面在Ux和Uy方向被夹紧，从而压抑位移。 左边缘在Ux方向被压抑强加axisymmetric边界条件。 60V直流电压是应用的在顶面，环型电主角基于圆盘。 底面由于联络被着陆与导电性流体。
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2013-05-23 12:26:38
本分析建模的压电圆盘图 18 所示。如所示，PZT 有半径为 r 的 2.55e-3 m 和晶片层的厚度 h 0.32e-3 米。在模型中，其顶部和底部边缘表面，从而制约 Ux 和厄伊方向位移夹紧双压电晶片光盘。左边是在 Ux 方向的轴对称的边界条件的约束。凡环形电导致其余的盘片上的顶面应用 60V 直流电压。底面被接地凭借的导电流体接触。
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2013-05-23 12:28:18
压电性磁盘模拟在目前的分析中在图 18 中被显示。当被说明， PZT 有二千五百五十的一半径的 r 和二变形层厚度三百二十的 h。在模型，压电性二语素变体磁盘在其最高和最后的外围上被夹住公开化，因此强迫在 Ux 和乌拉圭方向中的代替。左边边缘在 Ux 方向被强迫征收轴对称的边界条件。60V DC 电压在环形电铅依靠磁盘的最高表面被应用。最后的表面凭借有导电的液体的联系是接地的。
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