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2013-05-23 12:21
求翻译：Depends on RAM and chipset type and FSB and RAM frequency and NB volts, what PL you can run. If we compare Intel P35 vs P45 chipset for example it seems P35 allows for 1 - 2 steps lower PL in general. I personally run PL7 at 500 FSB with CellShock Micron D9GKX RAM on my Gigabyte P35 DS4 board with a minor increase in N是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Depends on RAM and chipset type and FSB and RAM frequency and NB volts, what PL you can run. If we compare Intel P35 vs P45 chipset for example it seems P35 allows for 1 - 2 steps lower PL in general. I personally run PL7 at 500 FSB with CellShock Micron D9GKX RAM on my Gigabyte P35 DS4 board with a minor increase in N
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
取决于内存和芯片组类型和外频和内存频率和NB伏，PL可以运行。如果我们比较例如英特尔的P35与P45芯片组似乎P35允许1 - 2步骤在一般的PL更低。我在我的技嘉P35 DS4板在500 FSB与CellShock美光D9GKX RAM亲自跑PL7 1:1分频器在NB电压略有增加，如果我用1.2倍分频，所以我得到的DDR2 - 1200，我将不得不使用PL8或增加NB电压，或许有点不安全的水平。
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2013-05-23 12:23:18
取决于RAM和芯片集类型和财经事务局和RAM频率和毒品调查科伏,什么PL你可以运行。 如果我们比较Intel P35VS p45芯片组例如似乎P35允许为1-2步骤降低PL在一般。 我个人运行PL7cellshock与财经事务局在500微米D.9gkx RAM技嘉技术公司在我p35DS4局的小幅增加与毒品调查科电压在1:1石壆,如果我使用1.2x分隔栏,我得到DDR __LW_AT__2-1200我将不得不使用PL8或增加毒品调查科电压,或许有点不安全水平。
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2013-05-23 12:24:58
取决于RAM和芯片组类型和FSB和RAM频率和NB伏特，什么PL您能跑。 如果我们例如比较英特尔P35对P45芯片组它似乎P35一般来说考虑到1 - 2步更低的PL。 我在我的十亿字节P35 DS4委员会亲自跑PL7在500 FSB与CellShock微米D9GKX RAM以在NB电压的较小增量在1:1分切器，如果我使用1.2x分切器，因此我得到或许我将必须使用PL8或增加NB电压对有些不安全的水平的DDR2-1200。
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2013-05-23 12:26:38
取决于内存和芯片组类型、 前端总线和内存的频率和 NB 伏特，您可以运行哪些 PL。如果我们比较一下英特尔 P35 vs P45 芯片组，例如似乎 P35 一般为 1-2 步骤低 PL 允许。我亲自 PL7 在运行 CellShock 微米 D9GKX ram 500 FSB NB 电压 1： 1 的分隔线，轻微增加我技嘉 P35 DS4 主板上如果我不得不使用 PL8 或增加也许有点不安全水平的 NB 电压的 DDR2-1200年所以使用 1.2 x 分隔线。
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2013-05-23 12:28:18
取决于内存和芯片组类型、 前端总线和内存的频率和 NB 伏特，您可以运行哪些 PL。如果我们比较一下英特尔 P35 vs P45 芯片组，例如似乎 P35 一般为 1-2 步骤低 PL 允许。我亲自 PL7 在运行 CellShock 微米 D9GKX ram 500 FSB NB 电压 1： 1 的分隔线，轻微增加我技嘉 P35 DS4 主板上如果我不得不使用 PL8 或增加也许有点不安全水平的 NB 电压的 DDR2-1200年所以使用 1.2 x 分隔线。
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