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2013-05-23 12:21
求翻译：In semiconductor manufacture a method of ion implanting a substrate includes an in-situ hydrogen reduction for removing or outgassing contaminants present on the surface of the substrate. By removing the contaminants, the implantation of "knock ons" into the crystal lattice structure of the substrate is prevented. In a是什么意思？ 待解决
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In semiconductor manufacture a method of ion implanting a substrate includes an in-situ hydrogen reduction for removing or outgassing contaminants present on the surface of the substrate. By removing the contaminants, the implantation of "knock ons" into the crystal lattice structure of the substrate is prevented. In a
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在制造半导体的离子植入基板的方法，包括原位氢还原，删除或除气基板表面上的污染物。通过去除污染物，防止植入“敲项”为衬底的晶格结构。说明发明的体现，是使用低温，高能量的氢等离子体氢还原。本发明的方法可以用来消除碳，二氧化碳，氧，硫，磷，硼，H.sub.2直径和原生氧化物等污染物目前被植入的表面上
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2013-05-23 12:23:18
在半导体制造方法的离子植入一片包括一个在原址氢气体物质短暂喷发而消除或减少污染物目前的表面涂层。 除去的污染物的安置,“敲门ONS"纳入《水晶点阵基底的结构是阻止。 在一个说明性的发明的体现,氢的减少是使用一个低温度、高能源氢离子。
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2013-05-23 12:24:58
在半导体制造种入基体的离子方法包括原地氢减少为去除的或outgassing的污染物在基体的表面。 通过去除污染物， “敲ons的”安放入基体的晶格结构防止。 在发明的说明具体化，氢减少使用低温，高能氢血浆进行。 发明的方法可以用于去除污染物例如碳、二氧化碳、氧气、硫磺、磷、硼、H.sub.2 O和当地氧化物在将被种入的表面
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2013-05-23 12:26:38
在半导体制造一种离子注入基板的方法包括原位氢还原删除或放气的基板表面上的污染物。通过去除污染物，阻止基板的晶格结构的"敲门 ons"注入。在该项发明的说明性的体现，氢还原使用低温、 高能量的氢等离子体执行。发明的方法可用于移除污染物，如碳、 二氧化碳、 氧、 硫、 磷、 硼、 H.sub.2 O、 本机氧化物表面上植
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2013-05-23 12:28:18
在半导体制造一种离子注入基板的方法包括原位氢还原删除或放气的基板表面上的污染物。通过去除污染物，阻止基板的晶格结构的"敲门 ons"注入。在该项发明的说明性的体现，氢还原使用低温、 高能量的氢等离子体执行。发明的方法可用于移除污染物，如碳、 二氧化碳、 氧、 硫、 磷、 硼、 H.sub.2 O、 本机氧化物表面上植
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