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2013-05-23 12:21
求翻译：Here, the outermost semiconducting regions 254 or portions of semiconducting regions 254 outside of the grooves are connected to the controller 316, thereby creating a galvanic coupling between the reference point REF and the non-stimulated body member 354. The portions of the semiconducting regions 254′ within the gro是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Here, the outermost semiconducting regions 254 or portions of semiconducting regions 254 outside of the grooves are connected to the controller 316, thereby creating a galvanic coupling between the reference point REF and the non-stimulated body member 354. The portions of the semiconducting regions 254′ within the gro
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
这里，半导体区域中的沟槽254以外的最外半导电区域254或部分被连接到控制器316，从而在参考点REF和非刺激的主体构件354之间的电耦合。在凹槽内的半导电区域254'的部分被电容耦合到地（例如，接地区域4002）中的绝缘区252的后面。应当理解的是，最外层的半导体区域254顷也电容耦合到地面，但因为它们是更远离地面时相比，在半导体区域254'的凹槽内，所述半导体区域254的电容性耦合“到地可比半导体区域254到地的电容性耦合更强。
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2013-05-23 12:23:18
这里，最外层的半导体的凹线的半导体的地区254外部的地区254或部分被连接到，从而创造在参考点REF和非被刺激的身体成员354之间的控制器316一个流电联结。半导体的地区254 ′的部分在凹线内的capacitively被结合在绝缘材料区域252后研(即，地面区域4002)。
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2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:26:38
在这里，最外层半导体区域 254 或 254 外面的凹槽连接到控制器 316，从而创建引用电偶耦合半导体区域的部分点 REF 和非刺激身体成员 354。半导体的地区 254′ 在槽内的部分是电容耦合到地面 （如地面区域 4002） 绝缘区域 252 的隐藏。它应该明白，最外层的半导体区域 254 还电容加上到地面，但因为他们是进一步远离地面相比半导体的地区 254′ 在凹槽内时，电容耦合到地面半导体的地区 254′ 可能比电容耦合半导体区域 254 到地面的强。
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2013-05-23 12:28:18
在这里,外侧半导电屏蔽254或部分区域的半导电屏蔽区域以外的254的凹槽连接到316的控制器,从而创建一个电流之间的耦合参考点参考和非刺激354机构成员。 该部分的半导电屏蔽区域254'的凹槽内的电容性耦合至地面,[例如:地面区域的后面4002]252绝缘区域。 应该意识到,最外层的半导电屏蔽区域254也电容性耦合至地面,而是因为他们进一步的比较时的半导电屏蔽区域254'的凹槽内,该电容耦合区域的半导电屏蔽接地254”可能比电容耦合区域的半导电屏蔽254至地面。
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