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2013-05-23 12:21
求翻译：Semiconductor on insulator structure i.e. ultra thin buried oxide type semiconductor on insulator structure, fabricating method for e.g. double gate flash memory, involves forming trapping layer with active traps, at bonding interface是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Semiconductor on insulator structure i.e. ultra thin buried oxide type semiconductor on insulator structure, fabricating method for e.g. double gate flash memory, involves forming trapping layer with active traps, at bonding interface
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
绝缘体上半导体结构如绝缘体上的结构超薄埋入氧化物型半导体，其制造方法，例如双门快闪记忆体，包括形成俘获层与活跃的陷阱，在键合界面
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2013-05-23 12:23:18
在绝缘体结构超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体的即即半导体在绝缘体结构，双重门闪存的制造的方法，介入形成设陷井层数与活跃陷井，在接合接口
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2013-05-23 12:24:58
半导体在绝缘体结构即。 超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体在绝缘体结构，制造的方法为即。 双重门闪存，介入形成诱捕层数与活跃陷井，在接合接口
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2013-05-23 12:26:38
半导体绝缘子结构即超瘦埋的氧化物类型半导体绝缘子结构、 制备方法例如双门闪存，涉及补漏白层形成与积极的陷阱，在粘接界面
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2013-05-23 12:28:18
半导体的绝缘结构(即超薄葬在氧化物半导体类型的绝缘结构、制造方法,例如双门闪存、涉及到套色层形成与活动陷阱,在绑定接口
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