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2013-05-23 12:21
求翻译：Used for characterizing a crystalline material i.e. massive monocrystalline silicon, layer undergone helium or hydrogen implantation, for obtaining information about structural state, mesh parameter disorder or induced damages, of the layer due the implantation, for implantation equipment calibration by analyzing a lig是什么意思？ 待解决
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Used for characterizing a crystalline material i.e. massive monocrystalline silicon, layer undergone helium or hydrogen implantation, for obtaining information about structural state, mesh parameter disorder or induced damages, of the layer due the implantation, for implantation equipment calibration by analyzing a lig
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
用于表征晶体材料，即大量的单晶硅，层经历了氦气或氢气注入是通过分析光片就获得关于结构状态，网状参数紊乱或引起的损害的信息，该层由于植入的，植入设备校准到一个模型部分中，用于分析的数量和脆化区域的质量，对于精炼间隙或孔的仿真模型中共同植入考虑到缺陷的帐户复合，并用于监视智能切割（RTM：硅绝缘体技术）的程序切割，其中所述植入是利用在半导体领域用于制造硅 - 绝缘体结构的退火期间约束和缺陷的演化。
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2013-05-23 12:23:18
(形)
使用过的, 习惯的, 二手的
(动)
使用, 运用, 利用; 惯常
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2013-05-23 12:24:58
为描绘水晶材料使用即。 巨型的单晶质的硅、层数接受的氦气或者氢安放，为得到信息关于结构状态、滤网参量混乱或者导致的损伤，层数交付安放，为安放设备定标通过分析一块轻的板材关于一个式样部分，为分析加重区域的数量和质量，为精炼间隙植物或孔模仿模型在考虑到瑕疵的再结合的co安放和为监视 聪明的裁减 (RTM ： 硅在绝缘体限制) 技术瑕疵的做法和演变在分裂期间焖火，安放在半导体领域被运用为制造的硅在绝缘体结构。
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2013-05-23 12:26:38
用于表征晶体材料即大规模单晶硅，层经历了氦气或氢植，用于获取有关结构状态、 网格参数紊乱或诱导的损害，由于植入术、 植入设备校准通过分析模型部分，用于分析加重区，精炼间质的数量和质量对轻型板层的信息或孔仿真模型在考虑到帐户重组的缺陷共同植入术和监测智能切 （RTM： 绝缘体上硅技术) 的约束和缺陷的乳沟里，植入在半导体领域制作绝缘体上硅结构的利用在退火过程的演变过程。
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2013-05-23 12:28:18
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