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2013-05-23 12:21
求翻译：The lattice matching element controls a lattice parameter mismatch between the barrier layer and the conducting layer, where the barrier and conducting layers are made of barrier semiconductor material i.e. silicon, and conducting semiconductor material i.e. silicon-germanium, respectively, thus ensuring high quality e是什么意思？ 待解决
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The lattice matching element controls a lattice parameter mismatch between the barrier layer and the conducting layer, where the barrier and conducting layers are made of barrier semiconductor material i.e. silicon, and conducting semiconductor material i.e. silicon-germanium, respectively, thus ensuring high quality e
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
晶格匹配元件控制所述阻挡层和导电层，其中所述阻挡层和导电层制成屏障半导体材料如硅，并且分别通半导体材料如硅，锗，之间的晶格参数不匹配，从而确保高质量的外延生长在所述硅衬底，以避免缺陷，即核的位错，在硅基板的晶体，从而改善导电性，并且该组件的热电转换效率。
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2013-05-23 12:23:18
这, 那; 这些, 那些
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2013-05-23 12:24:58
点阵匹配元素控制障碍层和举办的层数之间的格子参量配错，障碍和举办的层数由障碍半导体材料制成即。 硅和举办的半导体材料即。 硅锗，分别，因而在硅体保证高质量外延生长避免瑕疵即。 核脱臼，在硅体，并且改进电导率和组分的热电换能效率的水晶。
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2013-05-23 12:26:38
晶格匹配元素控制障碍层导电的层，凡屏障和导电层作出的屏障半导体材料即硅，和之间进行半导体材料即硅锗，分别，从而确保高质量外延生长在硅衬底，避免缺陷即核脱位，晶体硅衬底，并因此而提高电导率晶格参数不匹配和该组件的热电转换效率。
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2013-05-23 12:28:18
从窗棂匹配元素控制参数不匹配的窗棂之间的屏障层和导电层,在"障碍"和进行图层由半导体材料的障碍即硅片和半导体材料即进行硅锗,分别,从而确保高质量外延生长在硅基材,避免缺陷即核混乱,在晶体硅基材,因此提高导电性,和热电转换效率的组件。
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