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2013-05-23 12:21
求翻译：High quality epitaxy on carried thin films of SiC, the quality of epitaxy and the doping levels obtained are equivalent to those obtained from massive substrates. The epitaxy can be realised at higher temperatures. It provides the possibility of having very low electrical resistivity and higher doping levels.是什么意思？ 待解决
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High quality epitaxy on carried thin films of SiC, the quality of epitaxy and the doping levels obtained are equivalent to those obtained from massive substrates. The epitaxy can be realised at higher temperatures. It provides the possibility of having very low electrical resistivity and higher doping levels.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
上进行薄膜原文如此高质量的外延，外延的质量和所得到的掺杂水平是等同于从大规模的基板获得的。外延可以在更高的温度来实现。它提供了一种具有非常低的电阻率和较高的掺杂水平的可能性。
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2013-05-23 12:23:18
在SiC运载的薄膜的优质外延，外延的质量和得到的掺杂的水平与从巨型的基体获得的那些是等效的。外延可以体会在高温。它提供可能性的有非常低电子抵抗力和更高的掺杂的水平。
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2013-05-23 12:24:58
高质量外延在SiC运载的薄膜，外延的质量和得到的掺杂的水平与从巨型的基体获得的那些是等效的。 外延可以体会在高温。 它提供可能性的有非常低电子抵抗力和更高的掺杂的水平。
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2013-05-23 12:26:38
高质量外延进行薄膜的 SiC、 外延和获得的掺杂水平的质量上，相当于从大规模基板上获得的。可以在较高温度下实现外延。它提供了非常低的电阻率和更高的掺杂水平的可能性。
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2013-05-23 12:28:18
高质量的固溶体的薄膜进行了SIC(固溶体的质量水平和使用兴奋剂获得相当于大规模承印物上获得。 固溶体的可以实现在较高的温度下。 它提供了可能性非常低的电阻率和高水平运动员服用兴奋剂。
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