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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The SiCOI composite substrate fabricated by this method is used for the production of semiconductor devices (claimed), such as a power device of the Schottky diode type, PIN diode or power contact breaker on SiC.是什么意思?

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The SiCOI composite substrate fabricated by this method is used for the production of semiconductor devices (claimed), such as a power device of the Schottky diode type, PIN diode or power contact breaker on SiC.
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
该sicoi复合基板通过该方法制造的用于制造半导体器件(权利),如肖特基二极管型,P​​IN二极管或在SiC电力触头断路器的动力的装置。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
以这个方法被制造的SiCOI综合基体为半导体装置的生产使用(被要求),例如肖特基二极管类型、PIN二极管或者力量接触断路器的功率设备在SiC。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
以这个方法被制造的SiCOI综合基体为半导体装置的生产在 (SiC)使用被要求,例如肖特基二极管类型、PIN二极管或者力量接触断路器的功率设备。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
复合衬底编造的此方法用于半导体器件的生产的 SiCOI (索赔),如电源设备的肖特基二极管类型的断路 PIN 二极管或电源接触器的 SiC。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
sicoi复合基材的编造的这种方法用于生产半导体设备[说],如电源设备的肖特基二极管的类型、PIN二极管或电源触点断路器在SIC。
 
 
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