|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The source substrate is fractured and transferred at the upper part of the source substrate from the source substrate to the support substrate, and the sacrificial buffer layer is removed by selective etching with respect to the functionalized layer, so that the method enables manufacturing the semiconductor structure 是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The source substrate is fractured and transferred at the upper part of the source substrate from the source substrate to the support substrate, and the sacrificial buffer layer is removed by selective etching with respect to the functionalized layer, so that the method enables manufacturing the semiconductor structure
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
源基板的裂缝，并在从该源基板的源基板的支撑衬底的上部转移，且该牺牲缓冲层是通过选择性蚀刻相对于所述官能化层中除去，从而使该方法能够制造半导体结构在三维（3D）的方式不转移过程中增加的官能化层的表面上时的温度。
|
|
2013-05-23 12:23:18
来源基体破碎并且转移在来源基体的上部从来源基体到支持基体，并且有选择性的蚀刻去除牺牲缓冲层数关于functionalized层数，因此方法使能制造半导体结构以三维(3D)方式，无需增加functionalized层数的表面态的温度在转移的过程中。
|
|
2013-05-23 12:24:58
来源基体破碎并且转移在来源基体的上部从来源基体到支持基体，并且有选择性的蚀刻去除牺牲缓冲层数关于functionalized层数，因此方法使能制造半导体结构以三维 (3D) 方式，无需在转移的过程期间，增加表面态的温度functionalized层数。
|
|
2013-05-23 12:26:38
源底物是断开在上半部分的源底物从源底物转移到支持衬底，和祭祀缓冲层删除由选择性蚀刻的功能化的图层，就这样，该方法使制造的半导体结构三维 (3D) 的方式而不在传输过程中增加的一种表面的功能化图层状态温度。
|
|
2013-05-23 12:28:18
纸张的来源是四分五裂,在上半部分的承印物的来源从源基材基材的支持,和献祭缓冲层是通过有选择性地蚀刻去除的functionalized图层中,这样的方法可以制造半导体结构在一个三维[3D]的方式处理,而没有增加的表面温度状态期间functionalized层转移过程。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
