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2013-05-23 12:21
求翻译：The invention enables indirect bonding of the layer of semiconductor material to the support substrate via the bonding layer, which bonding to the support substrate is properly controlled, without recourse to total oxidation of the bonding layer, thus overcoming the problem of stopping the oxidation front.是什么意思？ 待解决
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The invention enables indirect bonding of the layer of semiconductor material to the support substrate via the bonding layer, which bonding to the support substrate is properly controlled, without recourse to total oxidation of the bonding layer, thus overcoming the problem of stopping the oxidation front.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
本发明使半导体材料层的间接结合到经由接合层，其粘结到所述支撑基板的适当的控制，不诉诸接合层的总氧化，从而克服阻止氧化前的问题在支撑衬底。
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2013-05-23 12:23:18
发明使半导体材料层数的间接接合对支持基体通过结合的层数，对支持基体的接合适当地被控制，不用依赖共计结合的层数的氧化作用，因而克服停止氧化作用前面的问题。
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2013-05-23 12:24:58
发明使能半导体材料层数的间接接合对支持基体通过接合层数，接合对支持基体适当地被控制，不用依赖到接合层数的总氧化作用，因而克服停止氧化作用前面的问题。
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2013-05-23 12:26:38
发明使间接粘接层的半导体材料到支持基板通过粘接层，哪些为支持基材粘接加以适当控制，而无需诉诸总氧化的粘结层，从而克服阻止氧化前面的问题。
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2013-05-23 12:28:18
该项发明使间接粘结层的半导体材料基材的支持通过绑定图层,它绑定到支持基材是适当的控制,而不诉诸总氧化层的粘接,从而克服这一问题的停止氧化前。
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