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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:In 2012 , SWNT FETs with sub-10-nm channel lengths showed a normalized current density ( 2. 41 m A m m–1at0.5V), which is greater than those obtained for silicon devices ( 53是什么意思?

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In 2012 , SWNT FETs with sub-10-nm channel lengths showed a normalized current density ( 2. 41 m A m m–1at0.5V), which is greater than those obtained for silicon devices ( 53
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
在2012年,单壁碳纳米管的场效应管与子-10-nm的沟道长度显示的归一化电流密度(2,41 MAMM 1at0.5v),这是超过硅器件(53获得的
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
在2012年,有子10 nm通道长度的SWNT FETs显示了正常化的电流密度(2. 41 m上午m-1at0.5V),比为硅设备获得的那些伟大(53
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
正在翻译,请等待...
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
在 2012 年,这个 Fet 与 sub-10-nm 通道长度表明归一化的电流密度 (2.41 m A m m–1at0.5V),其中大于那些获得了硅设备 (53
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
正在翻译,请等待...
 
 
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