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2013-05-23 12:21
求翻译：The presence of hydrogenated Si-bonds (Si-H) at the interface between Si and gate oxide, the boron penetration into the gate oxide, and the presence of impurities in the oxide originate interface and oxide charge traps是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The presence of hydrogenated Si-bonds (Si-H) at the interface between Si and gate oxide, the boron penetration into the gate oxide, and the presence of impurities in the oxide originate interface and oxide charge traps
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在场氢化硅债券（SI-H），渗透到闸极氧化层的硼硅栅氧化层之间的界面，氧化物中的杂质的存在源于界面和氧化层电荷陷阱
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2013-05-23 12:23:18
故此存在的si的债券(si-h)之间的接口在si和闸极氧化层、硼渗透到栅极氧化层的存在和杂质在氧化物源自接口和氧化物收费陷阱
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2013-05-23 12:24:58
出现氢化Si结合(SiH)在Si之间的接口，并且门氧化物、硼渗透到门氧化物里和杂质出现在氧化物发源接口和氧化物充电陷井
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2013-05-23 12:26:38
氢化硅-债券 (Si H) 硅和栅氧化、 硼渗透到栅氧化层，界面上的存在和氧化中杂质的存在源于界面和氧化收费陷阱
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2013-05-23 12:28:18
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