|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：it is the result of electron trapping or interface-state generation induced by the impact ionization of channel carriers near the drain region and causes the degradation of the electrical parameters of a transistor when the transistor is switching.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
it is the result of electron trapping or interface-state generation induced by the impact ionization of channel carriers near the drain region and causes the degradation of the electrical parameters of a transistor when the transistor is switching.
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
它是电子俘获或诱导漏区附近的通道运营商的影响电离，导致晶体管时，晶体管开关的电气参数的退化接口状态产生的结果。
|
|
2013-05-23 12:23:18
它的结果是电子诱捕或接口的状态所诱发的一代影响的附近发生电离通道运营商,导致退化的地区排放的电气参数时的一个晶体管的晶体管切换。
|
|
2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:26:38
它是电子俘获的结果或接口状态代致碰撞电离通道运营商附近排水区域并导致退化的电气参数的晶体管晶体管切换时。
|
|
2013-05-23 12:28:18
它是围困的电子或在排水地区附近被渠道承运人的影响电离促使的界面州的一代的结果和在晶体管在转换时导致一个晶体管的电参数的下降。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
