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关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Transmission electron microscopy measurements indicated that the dislocation density of the GaN grown using the AlN buffer technique was dramatically reduced是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Transmission electron microscopy measurements indicated that the dislocation density of the GaN grown using the AlN buffer technique was dramatically reduced
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
透射电子显微镜测量表明，位错密度的氮化镓生长AlN缓冲技术，大大降低了
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2013-05-23 12:23:18
传输电子显微镜方法测量的混乱表示,干密度增加使用ａｌｎ急剧减少缓冲区技术
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2013-05-23 12:24:58
传输电子显微镜术测量表明显著减少了使用AlN缓冲技术增长的GaN的位错密度
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2013-05-23 12:26:38
透射电子显微镜测量表示成长用氮化铝缓冲技术的氮化镓的位错密度大大减少
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2013-05-23 12:28:18
传送电子显微镜方法度量法表示那 GaN 的变位密度生长使用 AlN 缓冲器技术显著被减少
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