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2013-05-23 12:21
求翻译：The threshold voltage of the nHUSFET is much lower than that of nMOSFET, because Ci is reduced and the interface charge density Qi is increased due to the deposition of carbon nitride.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The threshold voltage of the nHUSFET is much lower than that of nMOSFET, because Ci is reduced and the interface charge density Qi is increased due to the deposition of carbon nitride.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
阈值电压的nhusfet比NMOSFET低得多，因为CI是减少和界面电荷密度气增加，由于氮化碳沉积。
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2013-05-23 12:23:18
nhusfet的阈值电压的nmosfet远远低于,因为ci将降低,并且接口密度淇是由于增加了充电的碳氮化钛的沉积。
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2013-05-23 12:24:58
nHUSFET 的阈值电压是比 nMOSFET 更低的，因为 Ci 被减少和界面费用密度 Qi 由于碳氮化物的沉积物被增强。
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2013-05-23 12:26:38
由于 Ci 减少和界面电荷密度齐由于沉积氮化碳薄膜的增加，远低于 nMOSFET，nHUSFET 的阈值电压。
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2013-05-23 12:28:18
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