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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The voltage VBIAS is the gate node of the current mirror M4P to M4N. VBIAS is preferably connected to a PMOS transistor with same channel length as M4P to M4N, whereas this transistor has gate and drain shorted and a current is forced through this device to generate the voltage VBIAS.是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
The voltage VBIAS is the gate node of the current mirror M4P to M4N. VBIAS is preferably connected to a PMOS transistor with same channel length as M4P to M4N, whereas this transistor has gate and drain shorted and a current is forced through this device to generate the voltage VBIAS.
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
电压VBIAS是电流镜M4P到M4N门节点。 ,VBIAS最好是连接到与PMOS晶体管相同的沟道长度为M4P到M4N,而这种晶体管栅极和漏极短路电流通过这个装置被迫产生电压VBIAS。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
节点的电压偏置电压是门的电流镜m4p,m4n。 偏置电压,最好连接到一个pmos晶体管相同的通道长度为m4p,m4n,而这一门晶体管短路,并且一个当前和排放强行通过此设备生成的电压偏置电压。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
电压VBIAS是当前镜子M4P的门结对M4N。 VBIAS更好地连接到PMOS晶体管用通道长度和M4P一样对M4N,而这支晶体管有门,并且流失短缺的和潮流通过这个设备是牵强的引起电压VBIAS。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
电压 VBIAS 是 M4N 将当前镜像 M4P 门节点。而这种晶体管具有门和排水渠短路电流被迫通过此设备产生的电压 VBIAS VBIAS 最好被连接到 M4P 到 M4N,长度相同信道 PMOS 晶体管。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
电压 VBIAS 对 M4N 是当前镜子 M4P 的门节点。VBIAS 最好随着相同的渠道期间连接到一个 PMOS 晶体管随着到 M4N 的 M4P,而这个晶体管有门和排水 shorted 和一股流被强行通过生成电压的这种设备 VBIAS。
 
 
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