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2013-05-23 12:21
求翻译：Microprobing at the charge pump found no evidence of leakage. In addition, deprocessing to SEM (Scanning Electron Microscopy) inspect at the polysilicon and gate oxide layers at this site failed to locate any defect. It is not uncommon to fail to locate the cause of an EMMI site if the defect is small – either difficul是什么意思？ 待解决
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Microprobing at the charge pump found no evidence of leakage. In addition, deprocessing to SEM (Scanning Electron Microscopy) inspect at the polysilicon and gate oxide layers at this site failed to locate any defect. It is not uncommon to fail to locate the cause of an EMMI site if the defect is small – either difficul
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
电荷泵Microprobing没有发现泄漏的证据。此外，deprocessing SEM（扫描电子显微镜）检查在多晶硅栅极氧化层，并在此网站没有找到任何缺陷。这并非罕见失败造成产品定位EMMI网站的原因，如果缺陷是小 - 不是很难找到或无意中删除deprocessing技术 - 或者如果EMMI网站的不当偏置缺陷“起来”从该位置。
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2013-05-23 12:23:18
在microprobing电荷泵没有发现证据的洩漏。 此外,向教统局局长deprocessing(扫描电子显微镜)检查在多晶硅和栅氧化层在本网站上没有找到任何欠妥之处。 它并不罕见,以失败的原因,找到一个埃米站如果欠妥之处是小国--或是难以找到或无意中删除deprocessing的技巧-或如果埃米站是不当的产品的偏压缺陷所致,从“location。
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2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:26:38
电荷泵在 Microprobing 发现泄漏的证据。此外，在多晶硅 deprocessing 扫描电镜 （扫描电镜） 来检查和栅氧化层在本网站未能找到任何缺陷。它并不少见，未能找到雪丹网站的原因，如果缺陷是小 — — 难找到或无意中删除的 deprocessing 技术 — — 或雪丹站点是否从该 location。 '了' 缺陷引起的不当偏置的产品
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2013-05-23 12:28:18
在指控的Microprobing 抽没有找到渗漏的证据。另外，deprocessing在SEM(扫描电子显微镜学)在polysilicon 和门氧化物层检查在不能找到任何缺陷的这个网站。不罕见原因的EMMI 站点这个缺陷小-或者不易被找到或者无意间以这deprocessing 技术除去- 或者如果EMMI 场所是从那个位置不恰当的有偏见的由一个缺陷引起的'向上'的产品。
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