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2013-05-23 12:21
求翻译：The simplified schematic of the resulting VCO is shown in Fig. 9. It incorporates dual-delay paths [11] to extend the frequency range for low supply voltage operation. For a typical supply voltage V2 , since the transistor M2 operates in the triode region, the reduction in voltage headroom (from VDD to VS) is about 50 是什么意思？ 待解决
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The simplified schematic of the resulting VCO is shown in Fig. 9. It incorporates dual-delay paths [11] to extend the frequency range for low supply voltage operation. For a typical supply voltage V2 , since the transistor M2 operates in the triode region, the reduction in voltage headroom (from VDD to VS) is about 50
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
产生的VCO的简化原理图图。 9。它采用双延迟路径[11]延长低电源电压操作的频率范围。一个典型的电源电压V2，晶体管M2在三极管地区经营以来，大约50 mV的电压余量的减少（从VDD到VS）是。进一步减少也是可行的。
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2013-05-23 12:23:18
简化的原理图所造成的VCO是显示在图。 9. 它包括了双重拖延路径[11],延长的供应电压操作频率范围为低。 一个典型的供应电压V2,因为该晶体管m2的运作,该区域制成的减少,电压馀(从VDD,vs)约为50mV。 进一步减少亦是可行的。
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2013-05-23 12:24:58
发生的VCO的被简化的概要显示在。 9. 它合并双重延迟道路(11)扩大频率范围为低电源电压操作。 为典型的电源电压V2，因为晶体管M2在三极管区域经营，对电压净空高度的减少(从VDD到对)约为50 mV。 进一步减少也是可行的。
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2013-05-23 12:26:38
简化的示意图，由此产生的 VCO 的如图 9 所示。它采用了双延迟路径 [11] 延长的频率范围为低电源电压供电。典型供电电压 V2，由于晶体管 M2 运作三极管地区 （从到 VS VDD） 电压预留空间的减少是约 50 mV。进一步减少也是可行的。
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2013-05-23 12:28:18
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