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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The near-rectangular-shaped CV and high overall current suggest the large double-layer capacitive behavior of the PTh, accompanying with the increase of integral area and worse deviation from ideal rectangle, this is incurred by the insufficient ion diffusion at high scan rate.是什么意思?

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The near-rectangular-shaped CV and high overall current suggest the large double-layer capacitive behavior of the PTh, accompanying with the increase of integral area and worse deviation from ideal rectangle, this is incurred by the insufficient ion diffusion at high scan rate.
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
近矩形的CV和高的总电流提示PTH的大双层电容特性,具有整体面积的增加以及更差的偏离理想的矩形伴随,这是产生的离子扩散不充分高的扫描速率。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
近长方形型CV和潮流高整体上建议PTh的大二重层数电容行为,伴随随着缺一不可的区域的增加,并且从理想的长方形,这的更坏的偏差由不足的离子扩散招致以高扫瞄速率。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
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  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
附近-矩形形 CV 和高整体当前建议 PTh 的大型双电层电容行为从理想矩形伴随积分区和严重偏差的增加,这招致高扫描速度不足离子扩散。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
走近-rectangular-形状的 CV 和高总体流建议 PTh 的大两倍层电容性的行为,附带从理想矩形的构成的地区和更糟的偏离的增长,这以高扫描费率被不足的离子散布导致。
 
 
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