|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Recent research has shown that tests generated without taking process variation into account may lead to loss of test quality. At present there is no efficient device-level modeling technique that models the effect of process variation on resistive bridges. This paper presents a fast and accurate technique to model the是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Recent research has shown that tests generated without taking process variation into account may lead to loss of test quality. At present there is no efficient device-level modeling technique that models the effect of process variation on resistive bridges. This paper presents a fast and accurate technique to model the
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
最近的研究表明，如果不考虑工艺变化考虑生成的测试可能会导致测试质量的损失。
|
|
2013-05-23 12:23:18
最近研究表示，测试引起，无需采取处理变异也许导致测试质量损失。当前没有塑造处理变异的作用对抗拒桥梁的高效率的设备级的塑造的技术。本文提出一个快速和准确技术塑造处理变异的作用对抗拒桥梁瑕疵。
|
|
2013-05-23 12:24:58
最近研究表示，测试引起，无需采取处理变异也许导致测试质量损失。 当前没有塑造在抗拒桥梁塑造处理变异的作用的技术的高效率的设备级。 本文在抗拒桥梁瑕疵提出一个快速和准确技术塑造处理变异的作用。 提出的模型在二个阶段被实施： 首先，它使用一个准确晶体管模型 (BSIM4) 计算桥梁的重要抵抗; 第二，处理变异的作用在这个模型被合并通过使用三个晶体管参量： 给长度 (L)，门限电压 (v th) 和有效的流动性 (μeff装门)，其中每一跟随高斯发行。 试验在一个65nm门图书馆做 (为例证目的)，并且结果显示那平均提出的塑造的技术7时间快速地和在最坏，错误在桥梁重要抵抗0.8%与HSPICE比较是
|
|
2013-05-23 12:26:38
最近的研究表明不考虑考虑过程变异生成的测试可能会导致损失的测试质量。目前是没有有效的设备级建模技术建模的过程变化对电阻式桥梁的影响。本文提出了快速和准确的技术，建立模型过程变化对电阻桥缺陷的影响。拟议的模式实施分两个阶段： 第一，它采用一种准确晶体管模型 (BSIM4) 来计算的一座桥梁 ； 临界电阻第二，通过使用三个晶体管参数在此模型中纳入过程变化的影响： 栅极长度 (L)、 阈值电压 (V th) 和有效流动性 （μeff），每个去高斯分布的地方。在 65 纳米门库 （用于说明目的），进行了实验和结果显示平均拟议的建模技术是多快 7 倍，最糟糕的情况中桥临界电阻, 的错误是 0.8%时相比
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
