求翻译：It is known that typical, low-temperature (是什么意思？

它是已知的典型的低温（ <400 ◦ C）的CVD方法通常会产生细颗粒（ < 0.1微米）的Si薄膜。

知道典型，低温(<400◦C) CVD方法通常产生微粒的(<0.1µm) Si影片。在这样影片制造的太阳能电池陈列转轨，低VOC和恶劣的载体收藏。因此，是必要的在玻璃或一些其他便宜的基体的一部微粒(或无定形) Si影片由一个低温过程五谷提高。表8.5给用于稀薄filmµc Si形成当前的五谷改进技术的总结。

它知道典型，低温 (<400◦C) CVD方法一般产生微粒的 (<0.1µm) Si影片。 在这样影片制造的太阳能电池陈列转轨，低VOC和恶劣的载体收藏。 因此，它是必要的一部微粒 (或无定形的) Si影片在玻璃或一些其他便宜的基体由一个低温过程五谷提高。 表8.5给用于稀薄filmµcSi形成当前的五谷改进技术的总结。 五谷改进介入GBs的运动为使整体能量减到最小。 一种简单的方法为完成此将执行高温锻炼。 然而，高温度(>600◦C) 处理不是与便宜的基体兼容象玻璃。 处理温度可能，然而，由影片物产和加工条件一个适当的选择显著降低。

众所周知是那典型的低温度 (< 400◦C) CVD 方法一般产量细粒度 （< 0.1µm) Si 薄膜.编造这种电影展览调车、 低 VOC 和穷人承运人集合。 因此太阳能电池，就必须细粒 (或非晶) 硅玻璃或一些其他低成本衬底上的电影将由谷物增强技术目前总结用于薄-filmµc-硅形成粮食增强涉及的运动，试图尽量减少 GBs 低温度的过程。 表 8.5 给出加强粮食是进行高温退火。 然而，高 temperature(>600◦C) 加工是像玻璃一样的低成本衬底与不兼容。 总体能源。 一个简单的方法实现这加工温度可以，不过，会大大降低了膜性能的适当的选择和加工条件。

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