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2013-05-23 12:21
求翻译：Ultra thin buried oxide structure or direct silicon bonding structure producing method, involves carrying out heat treatment on assembly if substrates at temperature, where exposure time between two temperatures is equal to value range是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Ultra thin buried oxide structure or direct silicon bonding structure producing method, involves carrying out heat treatment on assembly if substrates at temperature, where exposure time between two temperatures is equal to value range
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
超薄埋氧层结构或硅直接键合结构制造方法，涉及实施热处理，装配上，如果在温度，在两个温度之间的曝光时间等于值范围基板
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2013-05-23 12:23:18
超稀薄的被埋没的氧化物结构或直接硅接合结构导致方法，介入执行在汇编的热治疗，如果基体在温度，两个温度之间的曝光时间与价值范围是相等的
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2013-05-23 12:24:58
超稀薄的被埋没的氧化物结构或直接硅接合结构导致方法，在汇编介入执行热治疗，如果基体在温度，二个温度之间的曝光时间与价值范围是相等的
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2013-05-23 12:26:38
超瘦埋的氧化结构或直接硅键合结构生产方法，涉及到进行热处理在大会上，如果衬底温度，哪有曝光时间之间两种温度等于值的范围
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2013-05-23 12:28:18
超薄葬在氧化物结构或直接芯片粘接结构生产方法,涉及进行热处理大会如果承印物上的温度,曝光时间在两个温度等于值的范围
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