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2013-05-23 12:21
求翻译：The method is useful for manufacturing, by metal organic vapor phase epitaxy, a gallium nitride self-supporting monocrystalline layer of a structure, which is useful in an electronic, optoelectronic or micromechanical device including a Schottky diode (all claimed), a LED, a laser diode, a heterostructure FET and a hig是什么意思？ 待解决
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The method is useful for manufacturing, by metal organic vapor phase epitaxy, a gallium nitride self-supporting monocrystalline layer of a structure, which is useful in an electronic, optoelectronic or micromechanical device including a Schottky diode (all claimed), a LED, a laser diode, a heterostructure FET and a hig
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法是用于制造有用的，通过金属有机汽相外延，一个结构，这是在电子，光电子或微机械装置包括一个肖特基二极管（全部权利），一个LED，有用的氮化镓自支撑单晶硅层的激光二极管，异质结场效应晶体管和高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:23:18
方法为制造，由金属有机物蒸气阶段外延，结构的镓氮化物自承单晶质的层数是有用的，是有用的在一个电子，光电子或者式微机械设备包括肖特基二极管(所有被要求)， LED、激光二极管、异质结构FET和一支高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:24:58
方法为制造业，由金属有机物蒸气阶段外延，结构的镓氮化物自承单晶质的层数是有用的，是有用的在一个电子，光电子或者micromechanical设备包括所有被要求的 (肖特基二极管)， LED， laser二极管、异质结构FET和一支高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:26:38
该方法可用于制造、 金属有机汽相外延，由镓氮化自承单晶硅层的结构，这是很有用电子、 光电或微机械设备包括一个肖特基二极管 (所有声称)、 LED、 激光二极管、 场效应管异质结高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:28:18
这种方法有助于制造、金属有机气相固溶体,砷化镓氮化物自助单晶层的结构,这将有助于一个电子、光电或micromechanical设备包括一个肖特基二极管[所有索赔],一个LED,一个激光二极管、一个FET和级异质结构构成一个高电子移动性晶体管。
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