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2013-05-23 12:21
求翻译：FLASH MEMORY CELL ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR WITH A CONTROLLING GATE BURIED UNDER AN INSULATING LAYER CAPABLE OF OVERCOMING THE DESIGN COMPLEXITY WITH RESPECT TO A PERIPHERAL CIRCUIT | The flash memory cell on S e O I having the second control gate reclaimed under the insulating layer.是什么意思？ 待解决
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FLASH MEMORY CELL ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR WITH A CONTROLLING GATE BURIED UNDER AN INSULATING LAYER CAPABLE OF OVERCOMING THE DESIGN COMPLEXITY WITH RESPECT TO A PERIPHERAL CIRCUIT | The flash memory cell on S e O I having the second control gate reclaimed under the insulating layer.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在半导体 - 绝缘体与控制栅掩埋下能够克服设计的复杂相对于外围电路的绝缘层闪速存储单元|从脊背负具有第二控制栅的快速存储单元在绝缘层下回收。
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2013-05-23 12:23:18
在A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR的闪存细胞与A控制门被埋没在一块绝缘层下能够克服设计复杂关于一条周边电路|在S e O的闪存细胞我有第二个控制门被索还在绝缘层下。
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2013-05-23 12:24:58
闪存细胞在A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR用A控制门被埋没在一块绝缘层之下能克服设计复杂关于一条周边电路 闪存细胞在S e O I有第二个控制门被索还在绝缘层之下。
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2013-05-23 12:26:38
FLASH 内存单元格上半导体上绝缘子用埋下能够克服对外围电路的设计复杂性隔热层控制门 |快闪记忆体上的单元格 S e O 我有回收在隔热层下的第二个控制闸门。
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2013-05-23 12:28:18
闪存存储器单元的半导体绝缘,控制门被埋在一个绝缘层将能够克服设计的复杂性,对某一外设电路|闪存存储器单元S E O我在第二个控制门填海的隔热层。
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