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2013-05-23 12:21
求翻译：Hydride vapor phase epitaxy deposition system for depositing e.g. gallium nitride (GaN) on substrate to manufacture semiconductor device, has opaque material that is located to shield sensor of metrology device from thermal radiation是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Hydride vapor phase epitaxy deposition system for depositing e.g. gallium nitride (GaN) on substrate to manufacture semiconductor device, has opaque material that is located to shield sensor of metrology device from thermal radiation
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
用于沉积例如氢化物气相外延沉积系统氮化镓（GaN）衬底上制造半导体器件，其具有位于从热辐射屏蔽量测装置的传感器不透明材料
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2013-05-23 12:23:18
即氢化物蒸气阶段外延放置的镓氮化物的(淦)证言系统在制造半导体装置的基体，有找出保护计量学设备传感器从热辐射的不透明材料
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2013-05-23 12:24:58
氢化物蒸气阶段外延证言系统为放置即。 镓氮化物 (GaN) 在制造半导体装置的基体，有被找出保护计量学设备传感器从热辐射的不透明材料
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2013-05-23 12:26:38
基板制造半导体器件上沉积如氮化镓 (GaN) 的氢化物汽相外延沉积系统已是计量设备屏蔽传感器位于从辐射热的不透明材料
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2013-05-23 12:28:18
氢化物气相淀积系统固溶体为存放如砷化镓氮化物[乾]承印物,生产半导体设备,不透明的材料,位于防护罩传感器的计量设备从散热辐射
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