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2013-05-23 12:21
求翻译：The partial dissolution of the insulating layer farthest from the substrate is implemented for obtaining the insulating layer with the thickness less than 10 nm, without affecting the thickness of the other insulating layer and the composition of the semiconductor layers, thus maintaining excellent quality of gluing be是什么意思？ 待解决
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The partial dissolution of the insulating layer farthest from the substrate is implemented for obtaining the insulating layer with the thickness less than 10 nm, without affecting the thickness of the other insulating layer and the composition of the semiconductor layers, thus maintaining excellent quality of gluing be
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
从基底绝缘层最远的部分溶解时获得的厚度小于10nm的绝缘层，在不影响其它的绝缘层的厚度以及所述半导体层的组合物，从而保持之间粘合优良的品质实施各层。
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2013-05-23 12:23:18
远绝缘层的部份溶解从基体为获得与厚度的绝缘层被实施少于10毫微米，无需影响另一块绝缘层的厚度和半导体层数的构成，因而维护胶合的优秀质量在层数之间。
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2013-05-23 12:24:58
远绝缘层的部份溶解从基体为获得绝缘层被实施以厚度少于10毫微米，无需影响另一块绝缘层的厚度和半导体层数的构成，因而维护胶合的优秀质量在层数之间。
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2013-05-23 12:26:38
远离基板绝缘层的部分溶解实施获得隔热层厚度小于 10 毫微米，而不会影响其他隔热层的厚度和组成的半导体层，从而保持优良的品质的胶合层之间。
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2013-05-23 12:28:18
解散的部分的绝缘层的最远的基材是从实施获得隔热层与厚度小于10Nm,而不影响其他的厚度的绝缘层的组成和半导体层,从而保持高质量的胶粘层之间。
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