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2013-05-23 12:21
求翻译：Method for fabricating e.g. triple silicon-on-insulator structure used for forming resonant tunneling diode, involves implementing partial dissolution of buried electrically insulating layer farthest from substrate for thinning down layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Method for fabricating e.g. triple silicon-on-insulator structure used for forming resonant tunneling diode, involves implementing partial dissolution of buried electrically insulating layer farthest from substrate for thinning down layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的制造方法，例如用于形成谐振隧穿二极管三重硅 - 绝缘体结构，涉及执行从基底埋入电绝缘层最远的部分溶解于减薄层
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2013-05-23 12:23:18
制造的为形成共振隧道二极管使用的三倍绝缘体上硅薄膜结构即方法，介入实施远被埋没的电子绝缘层的部份溶解从变薄的基体在层数下
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2013-05-23 12:24:58
方法为制造即。 为形成共振挖洞二极管使用的三倍硅在绝缘体结构，介入实施远被埋没的电子绝缘层的部份溶解从基体为变薄在层数下
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2013-05-23 12:26:38
例如制造三重绝缘体上硅结构方法用于形成共振隧穿二极管，涉及执行部分解体的距离最远为上下层减薄衬底埋绝缘层
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2013-05-23 12:28:18
其制造方法例如三硅绝缘结构用于形成谐振隧道二极管,涉及执行部分解散埋绝缘层基材最远的细化层下移
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