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2013-05-23 12:21
求翻译：The hardened III-nitride layer is selectively etched for releasing the substrate structure by using anisotropic plasma etching such that adjacent areas of a connecting surface of the nitride layer are opened for producing semiconductor islands, thus producing phase separation-free semiconductor layers using reduced vol是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The hardened III-nitride layer is selectively etched for releasing the substrate structure by using anisotropic plasma etching such that adjacent areas of a connecting surface of the nitride layer are opened for producing semiconductor islands, thus producing phase separation-free semiconductor layers using reduced vol
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
硬化的III族氮化物层被选择性地蚀刻，用于通过使用各向异性等离子体蚀刻，使得所述氮化物层的连接表面的相邻区域被打开用于生产半导体岛，由此产生使用降低电压的相分离的无半导体层释放衬底结构。
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2013-05-23 12:23:18
被硬化的III氮化物层数为发布基体结构选择性地被铭刻通过使用铭刻这样的非均质性的等离子氮化物层数的连接的表面的毗邻区域为生产半导体海岛被打开，使用减少的电压，因而生产阶段分离自由的半导体分层堆积。
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2013-05-23 12:24:58
被硬化的III氮化物层数为发布基体结构有选择性地被铭刻通过使用铭刻这样的非均质性的血浆氮化物层数的连接的表面的毗邻区域为生产半导体海岛被打开，因而生产阶段无分离半导体使用减少的电压分层堆积。
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2013-05-23 12:26:38
硬化的三氮化层是有选择性地铭刻为释放的衬底结构通过使用各向异性等离子体刻蚀，邻近地区的连接表面的氮化物层为生产半导体群岛，因而产生相分离免费半导体层使用降低的电压被打开。
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2013-05-23 12:28:18
在硬化III-氮化硅层被有选择性地释放蚀刻的基材结构通过使用各向异性等离子蚀刻,毗邻地区的一个连接的氮化钛的表面层的打开生产半导体群岛,从而生产阶段分离的半导体层使用电压降低。
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