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2013-05-23 12:21
求翻译：Voltage reducing method for III-nitride structure of semiconductor structure, involves supplying continuous III-nitride layer with reduced voltage by implementing lateral growth of unetched parts of hardened III-nitride layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Voltage reducing method for III-nitride structure of semiconductor structure, involves supplying continuous III-nitride layer with reduced voltage by implementing lateral growth of unetched parts of hardened III-nitride layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
电压降低方法对半导体结构的III族氮化物结构，涉及具有降低的电压通过实施硬化III族氮化物层的未腐蚀部分横向生长提供连续III族氮化物层
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2013-05-23 12:23:18
减少半导体结构III氮化物结构的电压方法，介入供给连续的III氮化物层数把减少的电压通过实施被硬化的III氮化物层的unetched部分侧向成长
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2013-05-23 12:24:58
减少方法为半导体结构III氮化物结构的电压，介入连续的III氮化物层数把减少的电压供给通过实施侧向成长unetched被硬化的III氮化物层的部分
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2013-05-23 12:26:38
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2013-05-23 12:28:18
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