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2013-05-23 12:21
求翻译：The presence of the rear layer presence of the rear layer in the substrate allows a temperature measurement by infrared detection, and eventually a heating of the substrate by infrared, especially in the case of a molecular beam (MBE) epitaxy operating on this substrate for forming the nitride semiconductor.是什么意思？ 待解决
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The presence of the rear layer presence of the rear layer in the substrate allows a temperature measurement by infrared detection, and eventually a heating of the substrate by infrared, especially in the case of a molecular beam (MBE) epitaxy operating on this substrate for forming the nitride semiconductor.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
背面层在所述基板的背面层存在的存在允许温度测量通过红外线检测，并且基板的最终的加热用红外线，特别是在一个分子束（MBE）外延操作该基板上形成的情况下氮化物半导体。
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2013-05-23 12:23:18
后方层数的后方层数出现的出现在基体的由红外侦查允许温度测量和最终基体的热化由红外线，特别是在经营在形成的氮化物半导体这个基体的分子束(MBE)外延情况下。
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2013-05-23 12:24:58
后方层数的后方层数出现的出现在基体由红外侦查允许温度测量和最终基体的热化由红外线，特别是在经营在这个 (基体的) 分子束MBE外延情况下为形成氮化物半导体。
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2013-05-23 12:26:38
在基体的后方层后方层存在的存在通过红外，尤其是经营这为形成氮化物半导体基板上 (MBE) 分子束外延允许由红外探测，并最终加热的衬底的温度测量。
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2013-05-23 12:28:18
存在的后层存在的后层的基材中的温度测量可以通过红外检测,并最终成为一个加热的基材由红外,特别是在这种情况的一个分子束[MBE]操作此固溶体基材形成氮化物半导体。
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