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2013-05-23 12:21
求翻译：Providing strained silicon layer on substrate for fabricating strained silicon on insulator type wafer by oxidizing exposed silicon-germanium layer, removing silicon oxide layer, and selectively chemically etching silicon-germanium layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Providing strained silicon layer on substrate for fabricating strained silicon on insulator type wafer by oxidizing exposed silicon-germanium layer, removing silicon oxide layer, and selectively chemically etching silicon-germanium layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
通过氧化暴露的硅 - 锗层的绝缘体上型晶片制造应变硅，除去氧化硅层，并选择性地进行化学蚀刻的硅 - 锗层提供在衬底的应变硅层
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2013-05-23 12:23:18
提供紧张的硅层数在基体为制造的紧张的绝缘体上硅薄膜由氧化的被暴露的硅锗层数键入薄酥饼，取消氧化硅层数和选择性地化工铭刻硅锗层数
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2013-05-23 12:24:58
提供被劳损的硅层数在基体为在绝缘体类型薄酥饼制造被劳损的硅由氧化的被暴露的硅锗层数，取消氧化硅层数和有选择性地化工铭刻硅锗层数
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2013-05-23 12:26:38
暴露提供被劳损的硅层衬底上制作上绝缘子型硅片硅氧化硅锗层，去除硅氧化层，并有选择性地化学蚀刻硅锗层
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2013-05-23 12:28:18
提供张力硅层基材上,编造应变硅晶片的绝缘类型暴露的氧化硅锗层,去除硅氧化物层,并有选择性地化学蚀刻硅锗层
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