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2013-05-23 12:21
求翻译：The group III element nitride semiconductor layer can be re-grown after it, or a portion of it, is transferred from growth substrate to bonding substrate as seed layer. In this way, the semiconductor layer is replenished, which reduces costs because more pseudo-substrates can be formed in fewer steps and less time. By 是什么意思？ 待解决
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The group III element nitride semiconductor layer can be re-grown after it, or a portion of it, is transferred from growth substrate to bonding substrate as seed layer. In this way, the semiconductor layer is replenished, which reduces costs because more pseudo-substrates can be formed in fewer steps and less time. By
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
III族元素氮化物半导体层可以被重新生长之后，或它的一部分，是从生长衬底转移到接合基板作为籽晶层。在这种方式中，半导体层被补充，这降低了成本，因为更多的伪基片，可以形成以更少的步骤和较少的时间。通过再生长半导体层，所述步骤用于制造器件层结构可以重复许多次。
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2013-05-23 12:23:18
小组III元素氮化物半导体层数可以在它以后被继续生长，或者部分的它，从成长基体转移到结合的基体当种子层数。这样，半导体层数被重新补充，减少费用，因为更多假基体在少量步和较少时间可以被形成。通过继续生长半导体层数，制造的设备层型结构步可以被重复许多时期。
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2013-05-23 12:24:58
在它或者部分的它，从成长基体转移到接合基体当种子层数之后，小组III元素氮化物半导体层数可以被继续生长。 这样，半导体层数被重新补充，减少费用，因为更多冒充基体在少量步和较少时间可以被形成。 通过继续生长半导体层数，步为制造设备层型结构可以重覆许多时期。
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2013-05-23 12:26:38
组三元素氮化物半导体层可以重新种植后它，或它的一部分，从转入生长基质粘合衬底作为种子层。这种方式，半导体层被补充，而降低了成本，因为可以形成更多的伪基体，在较少的步骤和时间就越少。通过重新生长的半导体层，可以重复步骤制作设备层结构更多次。
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2013-05-23 12:28:18
第三组的元素氮化物半导体层可以重新增长,或其一部分,是从增长转移到基材粘接基材层的种子。 通过这种方式,在半导体层得到补充,这将降低成本,因为更多的伪的承印物上形成可以在更少的操作步骤和更少的时间。 通过重新日益壮大的半导体层,所采取的步骤,编造了设备层结构可以重复了很多次。
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