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2013-05-23 12:21
求翻译：Power junction diode with a silicon-carbide-on-insulator substrate with a silicon carbide layer insulated by a buried insulating layer and a Schottky contact between a metal layer and the silicon carbide layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Power junction diode with a silicon-carbide-on-insulator substrate with a silicon carbide layer insulated by a buried insulating layer and a Schottky contact between a metal layer and the silicon carbide layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
用碳化硅绝缘体衬底与由埋入绝缘层和金属层和碳化硅层之间的肖特基接触绝缘碳化硅层功率结二极管
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2013-05-23 12:23:18
供给有一块被埋没的绝缘层和肖特基联络与碳化硅层数绝缘的一个硅碳化物在绝缘体基体的结型二极管动力在金属层数和碳化硅层数之间
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2013-05-23 12:24:58
力量结型二极管与一个硅碳化物在绝缘体基体以一块被埋没的绝缘层和肖特基联络绝缘的碳化硅层数在金属层数和碳化硅层数之间
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2013-05-23 12:26:38
与硅-电石-上-绝缘衬底与碳化硅层绝缘埋地的隔热层和一个金属层和碳化硅层之间的肖特基接触电源结二极管
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2013-05-23 12:28:18
电源连接二极管的硅芯片与硬质合金表面的绝缘基片,带一个碳化硅层绝缘的绝缘层的埋在地下,一个肖特基接触一个金属层和碳化硅层
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