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2013-05-23 12:21
求翻译：The critical thickness of the pseudomorphic protective layer is adjustable by adjusting the composition of the material included in it. The pseudomorphic protective layer reduces the amount of thermal and chemical induced material degradation experienced by the first nitride-based semiconductor layer when the, second n是什么意思？ 待解决
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The critical thickness of the pseudomorphic protective layer is adjustable by adjusting the composition of the material included in it. The pseudomorphic protective layer reduces the amount of thermal and chemical induced material degradation experienced by the first nitride-based semiconductor layer when the, second n
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的赝保护层的临界厚度是可调节的，通过调整包含在它的材料的组合物。的赝保护层，降低所经历的第一氮化物系半导体层在所述第二氮化物系半导体层形成的热和化学诱导物质的降解量。的赝保护层的晶体特性被驱动到与第一氮化物系半导体层的对应，因此，假保护层驱动所述第二氮化物系半导体层的材料质量与该第一氮化物系对应半导体层，以及HENCO所述第二氮化物系半导体层被形成以更快的速率和具有较低的缺陷密度。
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2013-05-23 12:23:18
pseudomorphic ochranných层数的重要厚度通过调整在它包括的材料的构成是可调整的。pseudomorphic ochranných层数减少相当数量热量，并且化工第一基于氮化物的半导体层数体验的indukované物质退化kdy，第二基于氮化物的半导体层数被形成。
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2013-05-23 12:24:58
pseudomorphic ochranných层数的重要厚度通过调整在它包括的材料的构成是可调整的。 pseudomorphic ochranných层数减少相当数量热量，并且化工第一基于氮化物的半导体层数体验的indukované物质退化kdy，第二基于氮化物的半导体层数被形成。 驾驶pseudomorphic ochranných层数的水晶物产对应与那些第一基于氮化物的半导体层数，因而pseudomorphic ochranných层数驱动对应的第二基于氮化物的半导体层数的物质质量与那第一基于氮化物的半导体层数，并且二个氮化物根据半导体层数形成以更加快速的速度和以更低的瑕疵密度。
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2013-05-23 12:26:38
关键赝的保护层的厚度是物质的可调，通过调整包含在它的成分。赝的保护层减少了的热和化学诱导遇到的第一个基于氮化物半导体材料降解层时，第二形成基于氮化物半导体层。晶体性质的赝的保护层驱动与对应的那些第一次基于氮化物半导体层，因而赝保护层驱动器与那第一个基于氮化物半导体层，对应的第二个基于氮化物半导体层的材料质量和因此第二个基于氮化物半导体层形成更快的速度和较低的缺陷密度。
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2013-05-23 12:28:18
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