|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Method for fabricating semiconductor device e.g. integrated circuit device, involves preventing lattice parameter of layer of semiconductor material from returning back to previous value, when changing temperature of layer after bonding是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Method for fabricating semiconductor device e.g. integrated circuit device, involves preventing lattice parameter of layer of semiconductor material from returning back to previous value, when changing temperature of layer after bonding
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
的制造方法，半导体装置，例如集成电路设备，包括防止半导体材料层的晶格参数从什么时候粘接后改变层的温度返回回先前的值，
|
|
2013-05-23 12:23:18
制造的半导体装置集成电路设备即方法，介入防止半导体材料层的格子参量返回返回早先价值，当改变温度层时在结合以后
|
|
2013-05-23 12:24:58
方法为制造半导体装置即。 集成电路设备，介入防止半导体材料层的格子参量返回回到早先价值，当改变温度层时在结合以后
|
|
2013-05-23 12:26:38
制造半导体设备如集成电路设备，方法涉及防止层半导体材料的晶格参数将返回到以前的值，当在粘接后更改图层的温度
|
|
2013-05-23 12:28:18
其制造方法半导体装置(如集成电路设备,其中包括防止格子状的层参数的半导体材料返回到前一个值,温度变化时绑定后的图层
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
