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2013-05-23 12:21
求翻译：The method limits the alignment defects of the crystal lattices of the thin semiconductor layer and the carrier substrate in the plane parallel to their interfaces, based on defined angle values, and utilizes the thin layer with specific thickness, thus obtaining selective dissolution of the oxide layer to cause rearra是什么意思？ 待解决
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The method limits the alignment defects of the crystal lattices of the thin semiconductor layer and the carrier substrate in the plane parallel to their interfaces, based on defined angle values, and utilizes the thin layer with specific thickness, thus obtaining selective dissolution of the oxide layer to cause rearra
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法限制了薄的半导体层和在平行的平面，以它们的接口，基于定义的角度值的载体衬底的晶格的取向缺陷，并利用该薄层具有特定的厚度，从而获得氧化物层的选择性溶解使原子在界面区域的重排，从而形成位移在界面位错，在整个薄层的厚度。
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2013-05-23 12:23:18
方法在界面区限制稀薄的半导体层数和载体基体的晶格的对准线瑕疵在飞机平行与他们的接口，根据被定义的角度价值，并且运用薄层与具体厚度，因而获得氧化物层数的有选择性的溶解导致原子的重新整理，并且偏移脱臼被形成在接口，横跨薄层的厚度。
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2013-05-23 12:24:58
方法在界面区在飞机限制稀薄的半导体层数和载体基体的晶格的对准线瑕疵平行与他们的接口，根据被定义的角度价值，并且运用薄层以具体厚度，因而获得氧化物层数的有选择性的溶解导致原子的重新整理，并且偏移脱臼被形成在接口，横跨薄层的厚度。
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2013-05-23 12:26:38
方法限制了晶格薄膜半导体层和承运人底平面平行于它们的接口中的对齐方式缺陷、 基于已定义的角度值，并利用薄层与具体的厚度，因而获得选择性溶出度的氧化层在界面区域，导致原子的重排和因此取代脱位形成在接口跨薄层的厚度。
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2013-05-23 12:28:18
这种方法限制了对齐的晶体缺陷的格子窗的瘦半导体层和基材的运营商在平面平行,它们的接口,根据定义角度值,并可利用的薄薄的一层,具体厚度,从而获得选择性解散的氧化物层,导致重新整理中的原子界面区域,因此取代混乱的接口组成,厚度的薄薄的一层。
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