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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:Minimizes the loss of resistivity of the poly-crystalline silicon layer and obtains high resistivity silicon on insulator (HR-SOI) type substrate whose surface is devoid of native oxide and contaminants. Prevents diffusion of contaminants under the effect of the heat treatments applied when the substrate is used as bas是什么意思?

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Minimizes the loss of resistivity of the poly-crystalline silicon layer and obtains high resistivity silicon on insulator (HR-SOI) type substrate whose surface is devoid of native oxide and contaminants. Prevents diffusion of contaminants under the effect of the heat treatments applied when the substrate is used as bas
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
最大限度地减少了多晶硅层的电阻率的损失和绝缘体上获得高电阻率的硅(HR-SOI)型衬底,其表面是缺乏天然氧化物和污染物。防止下的当衬底被用作基底基板来制造绝缘体上型衬底上的半导体施加的热处理的影响的污染物的扩散。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
使多晶的硅层数的抵抗力减到最小损失并且得到表面是无的当地氧化物和污染物的高抵抗力绝缘体上硅薄膜(HR-SOI)类型基体。当基体用于作为基本的基体制造在绝缘体类型基体时的半导体防止污染物扩散在被申请的热治疗下的作用。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
在表面是无的当地氧化物和污染物的绝缘体HR-SOI类型基体使多晶的 (硅) 层数的抵抗力减到最小损失并且得到高抵抗力硅。 当基体在绝缘体类型基体时,用于作为基本的基体制造半导体防止污染物扩散在被申请的热治疗之下的作用。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
电阻率的多晶硅层的损失降至最低,并获取其表面是没有本机氧化和污染物 (HR soi) 类型衬底上的高电阻率硅。防止热处理时基体为基底物用于制造半导体绝缘子类型基板上的应用的影响下污染物的扩散。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
可以最大程度地减少损失的电阻率的多结晶硅层和硅芯片获得很高的绝缘电阻率[HR-SOI]类型纸张的表面是没有的本机氧化物和污染物。 防止传播的污染物的影响下的热治疗时应用的基材基材用作基本的半导体制造的绝缘基材类型。
 
 
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