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2013-05-23 12:21
求翻译：Group III-nitride semiconductor structure comprises a first layer having a surface and agglomerations of growth pits (that present voided regions) located beneath the surface in the structure in place of propagating defects是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Group III-nitride semiconductor structure comprises a first layer having a surface and agglomerations of growth pits (that present voided regions) located beneath the surface in the structure in place of propagating defects
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
III族氮化物半导体结构包括位于所述表面下方的结构代替具有的生长凹坑的表面和聚集的第一层传播的缺陷（即本无效区域）
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2013-05-23 12:23:18
小组III氮化物半导体结构包括第一层数有表面和附聚提出无效的地区)在表面下(被找出的成长坑在结构在繁殖瑕疵位置
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2013-05-23 12:24:58
小组III氮化物半导体结构包括第一层数有的成长坑表面和附聚 (提出在) 表面之下位于的无效的地区结构在繁殖瑕疵位置
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2013-05-23 12:26:38
组三-氮化物半导体结构包括有群的增长坑 （即当前失效的区域) 位于下方位置传播缺陷结构中的表面和表面第一层
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2013-05-23 12:28:18
第三组的氮化物半导体结构包括一个第一层有一个表面上的增长和聚集地,目前坑[失效]位于区域的表面下的结构中缺陷的传播
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