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2013-05-23 12:21
求翻译：The contact point is initiated between the facing faces of the initial wafer and the final wafer by applying the mechanical pressure to one of the wafers, where the mechanical pressure ranges between 0.1 to 33.3 Mega Pascal, thus limiting pressure applied on one of the wafers during initiation of the contact point to r是什么意思？ 待解决
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The contact point is initiated between the facing faces of the initial wafer and the final wafer by applying the mechanical pressure to one of the wafers, where the mechanical pressure ranges between 0.1 to 33.3 Mega Pascal, thus limiting pressure applied on one of the wafers during initiation of the contact point to r
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
通过施加机械压力到1的晶片，其中0.1至33.3兆帕斯卡，期间施加在晶片上的1从而限制了压力之间的机械压力范围的初始晶片和最终晶片的面对的表面之间开始接触的点的接触点开始，以减少在晶片产生不均匀的变形，并因此实现了在晶片上通过分子键合的表面有效粘合，并在以后形成的初始晶片的微部件的附加层，减少覆盖的风险。
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2013-05-23 12:23:18
这, 那; 这些, 那些
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2013-05-23 12:24:58
接触点被创始在最初的薄酥饼和最后的薄酥饼之间的饰面面孔被施加机械压力到其中一个薄酥饼，机械压力排列在0.1到33.3兆帕斯卡之间，因而限制在其中一个施加的压力薄酥饼在接触点启蒙期间减少在薄酥饼引起的不同类的变形，并且体会有效胶合在薄酥饼表面由分子接合和减少覆盖物风险在最初的薄酥饼的microcomponents另外的层的最新形成期间。
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2013-05-23 12:26:38
接触点是由向一个地方之间 0.1 到 33.3 兆帕斯卡，从而限制压力期间启动的联系人的应用之一，晶圆的机械压力范围点以减少不均匀变形生成在晶圆，晶圆施加机械压力启动之间面临的初始硅片的脸和最终硅片和因此实现有效胶合在曲面上的晶圆片的分子键合，和 microcomponents 的初始硅片的其他层以后形成期间减少覆盖风险。
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2013-05-23 12:28:18
接触点之间开始的是面临着的初始晶圆和晶圆的最后通过应用机械压力的一个晶圆,在机械压力范围在0.1到33.3兆帕斯卡,从而限制施加的压力在一个晶片在初始化的联络点,减少不均匀变形产生的晶片中,并因此实现有效涂胶表面上的晶圆的分子绑定和风险减少覆盖在以后更多的图层的microcomponents初始晶圆。
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