|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The germanium-on-insulator substrate with satisfying electronic properties, in particular high electron mobility in the passivated zones and hole mobility in the non passivated regions, can be obtained. In case of a SiGe layer, the method is particularly advantageous for high Ge contents of more than 50%, in particular是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The germanium-on-insulator substrate with satisfying electronic properties, in particular high electron mobility in the passivated zones and hole mobility in the non passivated regions, can be obtained. In case of a SiGe layer, the method is particularly advantageous for high Ge contents of more than 50%, in particular
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
锗绝缘体衬底与满意的电特性，在在非钝化区钝化区和空穴的迁移率特别高的电子迁移率，可以得到。万一一个SiGe层，所述方法为超过50％，特别是70％以上的高锗含量是特别有利的。
|
|
2013-05-23 12:23:18
与满足电子物产的锗在绝缘体基体，特别是高电子迁移率在被钝化的区域和空穴迁移率在非被钝化的地区，可以得到。在西赫层数的情况下，方法为高Ge内容是特别有利的超过50%，特别是超过70%。
|
|
2013-05-23 12:24:58
锗在绝缘体基体以满足电子物产，特别是高电子迁移率在被钝化的区域和空穴迁移率在非被钝化的地区，可以得到。 在SiGe层数的情况下，方法为高Ge内容是特别有利的超过50%，特别是超过70%。
|
|
2013-05-23 12:26:38
可以获得满意的电子性质、 特别是高电子流动性在钝化区和孔流动在非钝化的区域，绝缘体上锗基板。锗硅层的情况下，方法是特别有利的 Ge 含量高的 50%以上，特别是 70%以上。
|
|
2013-05-23 12:28:18
锗的绝缘基材,满足电子属性,特别是在电子移动性高的钝化区,孔中的移动计算非钝化区域,可以获得。 在这样的一个SiGe层,该方法是特别有利的高GE内容的50%以上,特别是70%以上。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
