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2013-05-23 12:21
求翻译：The method is useful for forming a Group III-nitride material on a growth substrate, where the formed material is useful for forming structure (claimed) such as Group III-nitride semiconductor structure and includes gallium nitride material, indium nitride material and aluminum nitride material.是什么意思？ 待解决
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The method is useful for forming a Group III-nitride material on a growth substrate, where the formed material is useful for forming structure (claimed) such as Group III-nitride semiconductor structure and includes gallium nitride material, indium nitride material and aluminum nitride material.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法用于在生长衬底上，其中所形成的材料是用于形成结构（权利），例如III族氮化物半导体结构有用的，并且包括镓氮化物材料，氮化铟材料和氮化铝材料上形成的III族氮化物材料是有用。
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2013-05-23 12:23:18
方法为形成在成长基体的小组III氮化物材料是有用的，被形成的材料为形成结构是有用的(被要求)例如小组III氮化物半导体结构并且包括镓氮化物材料，铟氮化物材料和氮化铝材料。
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2013-05-23 12:24:58
方法为形成小组III氮化物材料是有用的在成长基体，被形成的材料为形成结构是有用的 (被要求) 例如小组III氮化物半导体结构并且包括镓氮化物材料、铟氮化物材料和铝氮化物材料。
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2013-05-23 12:26:38
该方法很有用的增长衬底，哪里的建制的材料对于形成结构 (索赔) 如组 III-氮化物半导体结构非常有用，包括氮化镓材料、 铟氮化物材料和铝氮化物材料上形成一组 III-氮化物材料。
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2013-05-23 12:28:18
这种方法是有助于形成一个第三组的氮化物材料的增长基材上,形成了材料的组成结构很有用[说]如第三组的氮化物半导体结构和包括砷化镓氮化物材料、铟氮化硅材料和铝氮化硅材料。
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