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2013-05-23 12:21
求翻译：Depositing semiconductor material used as e.g. transistor, comprises exposing surface of substrate to group III and V element precursors in atomic layer deposition growth cycle and metal halide precursors to form III-nitride semiconductor是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Depositing semiconductor material used as e.g. transistor, comprises exposing surface of substrate to group III and V element precursors in atomic layer deposition growth cycle and metal halide precursors to form III-nitride semiconductor
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
作为沉积半导体材料如晶体管，包括露出基材的表面，第三组和原子层沉积生长周期和金属卤化物前体V族元素的前体，形成III族氮化物半导体
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2013-05-23 12:23:18
作为晶体管用于的即放置的半导体材料，包括暴露基体表面编组III和v在原子层数证言生长周期和金属卤化物的前体的元素前体形成III氮化物半导体
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2013-05-23 12:24:58
用于放置的半导体材料作为即。 transistor, comprises exposing surface of substrate to group III and V element precursors in atomic layer deposition growth cycle and metal halide precursors to form III-nitride semiconductor
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2013-05-23 12:26:38
存放用的例如晶体管的半导体材料，包括暴露表面上的到第三组和第五元素前体在原子层沉积生长周期和金属卤化物前体，形成三-氮化物半导体
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2013-05-23 12:28:18
使用半导体材料存入,例如晶体管,包括暴露的基材表面上,第三组和第五元素化学先质原子层沉积生长周期和金属卤化物前体中三的氮化物半导体
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