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2013-05-23 12:21
求翻译：Wet chemical etching method for wafer with silicon-germanium surface layer, involves dispensing etching solution from a position varying radially from center of wafer to maximum distance which is less than radius of wafer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Wet chemical etching method for wafer with silicon-germanium surface layer, involves dispensing etching solution from a position varying radially from center of wafer to maximum distance which is less than radius of wafer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
湿化学蚀刻法用于晶片与硅 - 锗表面层，包括从不同的径向从晶片的中心到其小于晶片的半径最大距离的位置分配蚀刻溶液
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2013-05-23 12:23:18
薄酥饼的湿化工蚀刻方法与硅锗表层，介入分与从辐形地变化从薄酥饼的中心的位置的蚀刻解答对比半径是较少薄酥饼的最大距离
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2013-05-23 12:24:58
湿化工蚀刻方法为薄酥饼以硅锗表层，介入分与蚀刻解答从辐形地变化从薄酥饼的中心的位置到比半径是较少薄酥饼的最大距离
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2013-05-23 12:26:38
湿化学蚀刻硅片与硅锗表面层的方法涉及配药蚀刻液从一个位置到小于半径的外延片的最大距离从中心的硅片径向变
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2013-05-23 12:28:18
湿化学蚀刻方法的晶片,硅锗表面层,涉及到配药蚀刻液从一个位置沿径向从中心不同的晶圆,最大距离小于半径的晶片
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