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2013-05-23 12:21
求翻译：Memory cell for use in memory array of amplifier and decoder, has FET comprising channel that extends between source region and drain region beneath insulating layer and forms trench extending into depth of base substrate是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Memory cell for use in memory array of amplifier and decoder, has FET comprising channel that extends between source region and drain region beneath insulating layer and forms trench extending into depth of base substrate
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在功放和解码器的内存阵列中使用的存储单元，具有源极区域和漏极之间区域延伸绝缘层下方，并形成沟延伸到基层衬底的深度FET包括信道
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2013-05-23 12:23:18
存储单元用于记忆一些放大器和译码器，有包括延伸在来源区域和流失区域之间在延伸到基本的基体的深度的绝缘层和形式沟槽下的渠道的FET
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2013-05-23 12:24:58
存储单元用于记忆一些放大器和译码器，有FET包括延伸在来源区域和流失区域之间在延伸到基本的基体的深度的绝缘层和形式沟槽之下的渠道
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2013-05-23 12:26:38
内存单元格使用的放大器和解码器，内存阵列中有场效应管组成延伸源区域和外流区域下方的绝缘层和形式沟延伸到深度的基底之间的通道
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2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
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