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2013-05-23 12:21
求翻译：The method is used for manufacturing a trench structure in a multilayer wafer (claimed), which is used for the fabrication of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The method is used for manufacturing a trench structure in a multilayer wafer (claimed), which is used for the fabrication of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法用于在一个多层晶片（权利），这是用于互补金属 - 氧化物 - 半导体（CMOS）器件的制造的制造沟槽结构。
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2013-05-23 12:23:18
方法为制造沟槽结构使用在一个多层薄酥饼(被要求)，为生产补全金属氧化物半导体(CMOS)设备使用。
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2013-05-23 12:24:58
方法为制造沟槽结构使用在被要求的一个多层 (薄酥饼)，为生产补全金属氧化物半导体CMOS (设备) 使用。
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2013-05-23 12:26:38
该方法用于制造沟结构在多层的硅片 (索赔)，用于制造的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 设备。
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2013-05-23 12:28:18
这种方法是用来制造一条沟结构在一个多层晶圆[说],用于制造的互补金属氧化物半导体(CMOS)设备。
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