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2013-05-23 12:21
求翻译：The wafer is bonded to another wafer, where the former wafer has the thermal expansion coefficient that is lower than the thermal expansion coefficient of the latter wafer, thus fabricating the heterostructure with minimum stress, while limiting the debonding and the appearance of defects at the substrate edges. The fo是什么意思？ 待解决
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The wafer is bonded to another wafer, where the former wafer has the thermal expansion coefficient that is lower than the thermal expansion coefficient of the latter wafer, thus fabricating the heterostructure with minimum stress, while limiting the debonding and the appearance of defects at the substrate edges. The fo
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在晶片键合到另一晶片，其中前者晶片具有的热膨胀系数比后者晶片的热膨胀系数低，从而制造具有最小应力的异质结构，同时限制了脱粘和外观的缺陷在所述基板边缘。前者晶片被部分修整，使得前者晶片呈现低的厚度或等于55微米，从而减少了剥离应力，由于两晶片的热膨胀系数之间的差异，并因此提高了宽度和规律性在基片的边缘的非转移区域。该方法保证晶圆修剪的深度，而不用担心剥离晶片或脱层。
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2013-05-23 12:23:18
薄酥饼与另一个薄酥饼被结合，前薄酥饼有热扩散系数低于后者薄酥饼的热扩散系数，因而制造与极小的重音的异质结构，当限制debonding和瑕疵出现在基体边缘时的。
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2013-05-23 12:24:58
薄酥饼与另一个薄酥饼被结合，前薄酥饼有热扩散系数低于后者薄酥饼的热扩散系数，因而制造异质结构以极小的重音，当限制debonding和瑕疵出现在基体边缘时。 前薄酥饼部份地被整理，因此前薄酥饼提出厚度低或相等与55个测微表，因而减少debonding的重音，由于在二个薄酥饼的热扩散系数，并且改进宽度和非转移的区域的规律性之间的区别在基体的边缘。 方法保证薄酥饼修剪深度，不用薄酥饼的冒险peel-off或分层法。
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2013-05-23 12:26:38
硅片粘合在另一晶圆，其中前硅片具有比在后者的外延片，因而编造与最小应力，同时限制粘和外观缺陷在基底边缘的异质的热膨胀系数低的热膨胀系数。部分修整前硅片，以便前硅片呈现厚度低于或等于 55 微米，从而减少剥离应力之间的两个晶圆片，热胀系数的差异，从而改善的宽度和非转移区域边缘的衬底上的规律。该方法向硅片修剪深度保证不用冒着危险去皮或分层的晶圆片。
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2013-05-23 12:28:18
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