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2013-05-23 12:21
求翻译：Epitaxial deposition of monocrystalline Group III-V semiconductor material for manufacturing of Group III-V wafers, involves reacting gaseous Group III precursor at controllable mass flow with gaseous Group V in reaction chamber是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Epitaxial deposition of monocrystalline Group III-V semiconductor material for manufacturing of Group III-V wafers, involves reacting gaseous Group III precursor at controllable mass flow with gaseous Group V in reaction chamber
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
制造III-V族晶片的单晶III-V族半导体材料的外延淀积，涉及在可控制的质量流量与气体组V中的反应室的反应气体III族前体
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2013-05-23 12:23:18
单晶质的小组III-V半导体材料的外延证言制造的小组III-V薄酥饼，介入起反应气体小组III前体在可控制的流量与气体小组v在反应房间
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2013-05-23 12:24:58
单晶质的小组III-V半导体材料的外延证言为小组III-V薄酥饼制造业，介入起反应气体小组III前体在可控制的流量与气体小组v在反应房间
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2013-05-23 12:26:38
单晶硅组 III-V 晶圆制造组 III-V 半导体材料的外延沉积涉及反应气体组三前体在可控大规模流动与反应室中的气体组 V
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2013-05-23 12:28:18
单晶外延沉积组III-V半导体材料制造的第三组-v晶片,包括气体反应前体在第三组可控制流量与气态组v在反应室
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