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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The size and configuration of the FETs and back gate control regions are selected so that the data path cell is specifically adapted for use in the environment of particular integrated circuit. The transistor conductance can be increased by use of back control gates with increased size. The power consumption of the cel是什么意思?

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The size and configuration of the FETs and back gate control regions are selected so that the data path cell is specifically adapted for use in the environment of particular integrated circuit. The transistor conductance can be increased by use of back control gates with increased size. The power consumption of the cel
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
在FET和背栅控制区域的大小和配置进行选择,使得该数据通路单元特别适用于特定的集成电路的环境中使用。晶体管的电导可以提高使用的背控制栅极具有增加的尺寸。电池的功率消耗可在恒定工作频率可以减少由于简化了结构。从晶体管的漏电流可降低通过施加不同的偏置到背栅根据电路的环境,以优化性能。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
FETs和后面门控制地区的大小和配置被选择,以便数据通路细胞明确地适应用于特殊集成电路的环境。晶体管导率可以利用有增加的大小的后面控制门被增加。细胞的电力消费可以减少以恒定的操作频率由于被简化的结构。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
FETs和后面门控制地区的大小和配置被选择,以便数据通路细胞具体地适应用于特殊集成电路的环境。 晶体管导率可以利用后面控制门被增加以增加的大小。 细胞的电力消费可以减少以恒定的操作频率由于被简化的结构。 漏出潮流从晶体管可以被适用于另外偏心减少优选表现根据电路环境后面门。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
大小和 Fet 和背门控制区域的配置选择,因此,数据路径单元是专门适合特定集成电路的环境中使用。晶体管电导可以增加了使用的回控制权门与增加大小。该单元格的电源消耗可以减少在恒定的工作频率,由于简化结构。可以减少漏电电流从晶体管电路环境优化通过向背门应用不同的偏见。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
的大小和配置的FET和后门控制区域选中,这样的数据路径,单元格是专门适合使用的环境中特别是集成电路。 晶体管导电性可增加使用的备份控制闸门的大小增加。 能耗,则该单元格可以减少操作频率在不断的简化结构。 从的泄漏电流的晶体管可以减少至优化性能的电路根据应用环境的不同偏向后门。
 
 
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